晶閘管熒光光纖溫度實時測量系統

2020年12月8日 分類:技術解答

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華光天銳提供光纖測溫系統,可以在多種電子元器件中使用,比如IGBT光纖測溫、可控硅晶閘管測溫、發電機組光纖測溫,絕緣,不受電磁干擾。

晶閘管測溫裝置的必要性

電力電子變換裝置在工作過程中,晶閘管通常工作于高壓、大電流的狀態中,工作過程中功率損耗會引起晶閘管的發熱、升溫,而晶閘管溫度過高將縮短器件壽命,甚至燒毀器件。為保證元件在額定負荷范圍內和超負荷等異常情況下都能工作在允許的最高結溫以下,需對晶閘管的溫度進行監測,提升設備運行的可靠性。

高壓晶閘管起動器在起動高壓交流電動機時,晶閘管要承受高電壓和大電流,晶閘管由于消耗電能,電能轉化為熱能,晶閘管本身的溫度快速升高,并通過其自身的散熱器將其熱量散出。但高壓晶閘管起動器因負載原因起動時間過長或多次頻繁起動時,散熱器上由于熱量的積蓄,會達到過高的溫度,此時,晶閘管溫度也會過高,若不及時采取措施處理或控制過高的溫度,將會使晶閘管本身因過溫而損壞。

晶閘管自 1956 年誕生以來,一直朝著高電壓、大電流的方向發展,分為電觸發晶閘管 (Electrically Triggered Thyristor,ETT)、光觸發晶閘管 (Light-Triggered Thyristor LTT),被廣泛的用于 HVDC、SVC、TCSC、TSC 等領域。晶閘管換流閥是系統運行的核心部件,在開通過程中,若經受故障 ( 浪涌 ) 電流,電流上升率很大,而單晶硅擴展速度的增大并不明顯,且不均勻,因此,會在導通局部形成很高的電流密度和造成局部結溫急劇上升,最終導致晶閘管燒毀 ;在導通過程中,可存在高電流密度溫升效應和缺陷點本征激發效應,形成單晶硅自身的循環加熱,最終晶閘管燒毀 ;在關斷過程中,由于存在恢復電流和較高的電流關斷 di/dt,結溫都遠遠大于正常值,易燒毀晶閘管 ;在斷態過程中,晶閘管存在泄漏電流和 RC 保護回路的過電壓,亦同樣產生局部熱電的循環自加熱,將晶閘管燒毀。因此,晶閘管結溫隨外界工況變化,對換流閥串聯均壓機制、內外部過電壓、過電流、晶閘管反向恢復過程、觸發控制系統、保護系統等各方面特性都起著決定性作用。因此,迫切需要能夠測量晶閘管內實時溫度的測量系統,熒光光纖測量系統采用特制的光纖溫度傳感器,能夠實時多點測量溫度分布,對晶閘管本體影響極小,不受外界的強電磁干擾,具有體積超小、可靠性高、穩定性強、線性度好、誤差小等特點,能夠滿足各類晶閘管測溫的需求。

福州華光天銳自主研發的晶閘管熒光光纖溫度實時測量系統,能夠實時多點測量溫度分布,對晶閘管本體影響極小,不受外界的強電磁干擾,光纖傳感器體積小,整個測量系統具有穩定性強、可靠性高、穩定性強、線性度好、誤差小等特點,能夠滿足各類晶閘管測溫的需求。

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